بررسی اثر افزایش BaZrO3 بر ریزساختار و خواص دی‌الکتریک مایکروویو سرامیک‌های (0.9-x)Ba([Zn0.6Co0.4]1/3,Nb2/3)O3–0.1Ba(Ga1/2Ta1/2)O3–xBaZrO3 x=0-0.1

سرامیک?های دی?الکتریک مایکروویو امروزه به عنوان اجزای غیرقابل جایگزین در دستگاه?ها و سیستم?های مورد استفاده در فرکانس?های مایکروویو برای مثال تلفن�های همراه و سیستم?های ماهواره�ای به کار می�روند. در این تحقیق اثر افزایش مقادیر متفاوت BaZrO3، بر روی ریز ساختار و خواص دی�الکتریک مایکروویو یک ترکیب با مبنای Ba(Zn1/3Nb2/3)O3(BZN) که با فرمول (0.9-x)Ba([Zn0.6Co0.4]1/3,Nb2/3)O3?0.1Ba(Ga1/2Ta1/2)O3?xBaZrO3 نشان داده می�شود و در آن �x=0-0.1می?باشد ، مورد بررسی قرار گرفته است. دانسیته در اثر افزایش مقدار BaZrO3 تا x=0.08 افزایش و سپس کاهش می�یابد. آزمایشهای پراش پرتوX نشان دهنده حضور فاز Ba(Zn1/3Nb2/3)O3 به همراه میزان بسیار ناچیزی از یک فاز ناشناخته برای سرامیک?های با مقادیر x=0,0.02,0.04 می�باشد. با این?حال مطالعات ریزساختاری توسط میکرسکوپ نوری نشان داد که فاز دوم در ریز ساختار سرامیک?های با x=0.06,0.08,0.10 نیز وجود دارد و به دلیل میزان پایین آن توسط آزمایش پراش پرتو X قابل تشخیص نیست. پیک سوپرساختار در طیف پراش پرتو X هیچ?کدام از ترکیبات مشاهده نشد. فاکتور کیفیت (Q�f) برای نمونه با x=0.08 برابر با GHz4366 بود که بسیار پایین می�باشد. برای بقیه نمونه�ها نیز فاکتور کیفیت پایین و قابل اندازه�گیری نبود. همان?طور که اشاره شد بررسی�های ریزساختاری و پراش پرتو X نشان داد که فاز دوم در تمامی نمونه�ها وجود دارد بنابراین علت اصلی میزان پایین فاکتور کیفیت که برای تمامی نمونه�ها مشاهده شده را می�توان باحضور فاز دوم در ریز ساختار توجیح کرد.